5400ТР055
5400ТР055
Аналого-цифровые базовые матричные кристаллы 5400ТР055 являются основой для проектирования и изготовления полузаказных микросхем в компактных корпусах, имеющих в своем составе высоковольтные компоненты (ключи, мультиплексоры, ОУ). Предназначена для замены отдельных дискретных компонентов импортного производства, а также для построения схем малой и средней сложности с высоковольтными опциями.
Номер ТУ
АЕНВ.431260.364ТУ
Тип корпуса
5142.48-А
Скачать STEP-модель
Скачать Gerber-файлы
Статус разработки
Серийно освоена
Температурный диапазон
от –60°С до +125°С
4Ус | 1К | ТЗЧ
Надежность
Наработка на отказ 140 000 часов
Характеристики
- Архитектура аналоговой части в виде идентичных матриц согласованных аналоговых компонентов на основе 5,0В-ых транзисторов для построения произвольных низковольтных аналоговых схем без «жестких» СФ-блоков обеспечивает «хорошую» мультиплицируемость библиотечных элементов;
- Аналоговые транзисторные матрицы позволяют реализовывать и цифровые схемы средней сложности. Эквивалентная емкость цифровой части ~100 тысяч вентилей (5,0В);
- Наличие в составе БМК транзисторов с рабочим напряжением не менее 30В для построения отдельных высоковольтных блоков;
- Наличие библиотеки аналоговых СФ-блоков: низковольтных и высоковольтных;
- Наличие конфигурационного ПЗУ (не менее 32 бит) для реализации внутренних программируемых настроек блоков при реализации схем на БМК (в т.ч. упрощает процесс настройки кристаллов на пластине);
- Номинальное напряжение питания – 5,0В.
Наименование блока | Количество | Параметры |
---|---|---|
Аналоговые транзисторы 60 В | 1600 | – Реализация высоковольтных блоков с рабочим напряжением до 40 В |
Цифровые ячейки | 82 630 | – Реализация цифровых проектов с рабочей частотой до 25 МГц |
Память | 370 бит | – Однократно программируемая память (antifuse) |
АЦП последовательного приближения | 2 | – Разрядность 12 бит – Частота дискретизации 1,0 МВыб/с – Дифференциальная нелинейность ±0,9 МЗР – Интегральная нелинейность ±5,0 МЗР |
R-2R ЦАП | 2 | – Разрядность 12 бит – Время преобразования 0,2 мкс – Дифференциальная нелинейность ±0,9 МЗР – Интегральная нелинейность ±3,0 МЗР |
Операционные усилители (прецизионный/ПДОУ/общего применения) | 18/18/18 | – Коэффициент усиления 120/110/90 дБ – Частота единичного усиления 2,0/2,0/25 МГц – Напряжение смещения 0,1/2,5/8,0 мВ |
Компараторы (общего применения/стробируемый) | 18/18 | – Разрешающая способность 1,0/1,0 мВ – Время срабатывания 0,2/0,1 мкс – Напряжение смещения 8,0/10 мВ |
Встроенный источник опорного напряжения | 1 | – Выходное напряжение 1,0 В – Температурный коэффициент изменения выходного напряжения ±100 ppm/°С |
Также кристалл содержит наборы аналоговых транзисторов, резисторов, конденсаторов.Типовой срок реализации проекта на БМК от 9 до 12 месяцев.