5400ТР055

5400ТР055

Аналого-цифровые базовые матричные кристаллы 5400ТР055 являются основой для проектирования и изготовления полузаказных микросхем в компактных корпусах, имеющих в своем составе высоковольтные компоненты (ключи, мультиплексоры, ОУ). Предназначена для замены отдельных дискретных компонентов импортного производства, а также для построения схем малой и средней сложности с высоковольтными опциями.

Номер ТУ

АЕНВ.431260.364ТУ

Тип корпуса

5142.48-А
Скачать STEP-модель
Скачать Gerber-файлы

Статус разработки

Серийно освоена

Температурный диапазон

от –60°С до +125°С

4Ус | 1К | ТЗЧ

Надежность

Наработка на отказ 140 000 часов

Характеристики

  • Архитектура аналоговой части в виде идентичных матриц согласованных аналоговых компонентов на основе 5,0В-ых транзисторов для построения произвольных низковольтных аналоговых схем без «жестких» СФ-блоков обеспечивает «хорошую» мультиплицируемость библиотечных элементов;
  • Аналоговые транзисторные матрицы позволяют реализовывать и цифровые схемы средней сложности. Эквивалентная емкость цифровой части ~100 тысяч вентилей (5,0В);
  • Наличие в составе БМК транзисторов с рабочим напряжением не менее 30В для построения отдельных высоковольтных блоков;
  • Наличие библиотеки аналоговых СФ-блоков: низковольтных и высоковольтных;
  • Наличие конфигурационного ПЗУ (не менее 32 бит) для реализации внутренних программируемых настроек блоков при реализации схем на БМК (в т.ч. упрощает процесс настройки кристаллов на пластине);
  • Номинальное напряжение питания – 5,0В.
Наименование блока Количество Параметры
Аналоговые транзисторы 60 В 1600 – Реализация высоковольтных блоков с рабочим напряжением до 40 В
Цифровые ячейки 82 630 – Реализация цифровых проектов с рабочей частотой до 25 МГц
Память 370 бит – Однократно программируемая память (antifuse)
АЦП последовательного приближения 2 – Разрядность 12 бит
– Частота дискретизации 1,0 МВыб/с
– Дифференциальная нелинейность ±0,9 МЗР
– Интегральная нелинейность ±5,0 МЗР
R-2R ЦАП 2 – Разрядность 12 бит
– Время преобразования 0,2 мкс
– Дифференциальная нелинейность ±0,9 МЗР
– Интегральная нелинейность ±3,0 МЗР
Операционные усилители (прецизионный/ПДОУ/общего применения) 18/18/18 – Коэффициент усиления 120/110/90 дБ
– Частота единичного усиления 2,0/2,0/25 МГц
– Напряжение смещения 0,1/2,5/8,0 мВ
Компараторы (общего применения/стробируемый) 18/18 – Разрешающая способность 1,0/1,0 мВ
– Время срабатывания 0,2/0,1 мкс
– Напряжение смещения 8,0/10 мВ
Встроенный источник опорного напряжения 1 – Выходное напряжение 1,0 В
– Температурный коэффициент изменения выходного напряжения ±100 ppm/°С

Также кристалл содержит наборы аналоговых транзисторов, резисторов, конденсаторов.Типовой срок реализации проекта на БМК от 9 до 12 месяцев.