5400ТР075

5400ТР075

Аналого-цифровые базовые матричные кристаллы 5400ТР075 являются основой для проектирования и изготовления полузаказных микросхем, имеющих в своем составе высоковольтные компоненты (ключи, мультиплексоры, ОУ). Предназначены для разработки аналого-цифровых проектов средней и высокой сложности (многоканальные системы, АЦ-преобразование, цифровая обработка и т.д.) с высоковольтными опциями.

Номер ТУ

АЕНВ.431260.449ТУ

Тип корпуса

5142.48-А
Скачать STEP-модель
Скачать Gerber-файлы

Статус разработки

Серийно освоена

Температурный диапазон

от –60°С до +125°С

4Ус | 1К | ТЗЧ

Надежность

Наработка на отказ 132 000 часов

Характеристики

  • Архитектура аналоговой части в виде идентичных матриц согласованных аналоговых компонентов на основе 5,0В-ых транзисторов для построения произвольных низковольтных аналоговых схем без «жестких» СФ-блоков обеспечивает «хорошую» мультиплицируемость библиотечных элементов;
  • Наличие в составе БМК транзисторов с рабочим напряжением не менее 30В для построения отдельных высоковольтных блоков;
  • Наличие библиотеки аналоговых СФ-блоков: низковольтных и высоковольтных;
  • Емкость цифровой части ~200 тысяч вентилей (1,8В) для реализации цифровых частей средней сложности;
  • Наличие конфигурационного ПЗУ (не менее 110 бит) для реализации внутренних программируемых настроек блоков при реализации схем на БМК (в т.ч. упрощает процесс настройки кристаллов на пластине);
  • Номинальное напряжение питания – 5,0В.
Наименование блока Количество Параметры
Аналоговые транзисторы 60 В 2500 – Реализация высоковольтных блоков с рабочим напряжением до 40 В
Цифровые ячейки 300 000 – Реализация цифровых проектов с рабочей частотой до 100 МГц
Память 8 кбит – Однократно программируемая память (antifuse)
АЦП последовательного приближения 6 – Разрядность 12 бит
– Частота дискретизации 1,2 МВыб/с
– Дифференциальная нелинейность ±0,8 МЗР
– Интегральная нелинейность ±5,0 МЗР
R-2R ЦАП 6 – Разрядность 12 бит
– Время преобразования 1,0 мкс
– Дифференциальная нелинейность ±0,9 МЗР
– Интегральная нелинейность ±3,0 МЗР
Операционные усилители (прецизионный/Быстродействующий/общего применения) 18/18/50 – Коэффициент усиления 120/80/90 дБ
– Частота единичного усиления 1,0/150/15 МГц
– Напряжение смещения 0,1/5,0/3,0 мВ
Компараторы (прецизионный/Быстродействующий/общего применения) 12/12/40 – Разрешающая способность 0,1/3,0/1,0 мВ
– Время срабатывания 0,3/0,05/0,2 мкс
– Напряжение смещения 0,5/5,0/8,0 мВ
Мультиплексор аналоговых сигналов 16 в 1 2 – Сопротивление открытого ключа канала 30 Ом
– Сопротивление закрытого ключа канала не менее 100 МОм
Встроенный источник опорного напряжения 1 – Выходное напряжение 1,0 В
– Температурный коэффициент изменения выходного напряжения ±100 ppm/°С
Драйвер внешнего силового ключа 2 – Входное напряжение 5,0 В
– Выходное напряжение 10 В
– Нагрузочная способность 300 мА

Также кристалл содержит наборы аналоговых транзисторов, резисторов, конденсаторов. Типовой срок реализации проекта на БМК от 9 до 12 месяцев.