5400ТР075
/5400TP075-000(f).png)
5400ТР075
Аналого-цифровые базовые матричные кристаллы 5400ТР075 являются основой для проектирования и изготовления полузаказных микросхем, имеющих в своем составе высоковольтные компоненты (ключи, мультиплексоры, ОУ). Предназначены для разработки аналого-цифровых проектов средней и высокой сложности (многоканальные системы, АЦ-преобразование, цифровая обработка и т.д.) с высоковольтными опциями.
Номер ТУ
АЕНВ.431260.449ТУ
Тип корпуса
5142.48-А
Скачать STEP-модель
Скачать Gerber-файлы
Статус разработки
Серийно освоена
Температурный диапазон
от –60°С до +125°С
4Ус | 1К | ТЗЧ
Надежность
Наработка на отказ 132 000 часов
Характеристики
- Архитектура аналоговой части в виде идентичных матриц согласованных аналоговых компонентов на основе 5,0В-ых транзисторов для построения произвольных низковольтных аналоговых схем без «жестких» СФ-блоков обеспечивает «хорошую» мультиплицируемость библиотечных элементов;
- Наличие в составе БМК транзисторов с рабочим напряжением не менее 30В для построения отдельных высоковольтных блоков;
- Наличие библиотеки аналоговых СФ-блоков: низковольтных и высоковольтных;
- Емкость цифровой части ~200 тысяч вентилей (1,8В) для реализации цифровых частей средней сложности;
- Наличие конфигурационного ПЗУ (не менее 110 бит) для реализации внутренних программируемых настроек блоков при реализации схем на БМК (в т.ч. упрощает процесс настройки кристаллов на пластине);
- Номинальное напряжение питания – 5,0В.
| Наименование блока | Количество | Параметры |
|---|---|---|
| Аналоговые транзисторы 60 В | 2500 | – Реализация высоковольтных блоков с рабочим напряжением до 40 В |
| Цифровые ячейки | 300 000 | – Реализация цифровых проектов с рабочей частотой до 100 МГц |
| Память | 8 кбит | – Однократно программируемая память (antifuse) |
| АЦП последовательного приближения | 6 | – Разрядность 12 бит – Частота дискретизации 1,2 МВыб/с – Дифференциальная нелинейность ±0,8 МЗР – Интегральная нелинейность ±5,0 МЗР |
| R-2R ЦАП | 6 | – Разрядность 12 бит – Время преобразования 1,0 мкс – Дифференциальная нелинейность ±0,9 МЗР – Интегральная нелинейность ±3,0 МЗР |
| Операционные усилители (прецизионный/Быстродействующий/общего применения) | 18/18/50 | – Коэффициент усиления 120/80/90 дБ – Частота единичного усиления 1,0/150/15 МГц – Напряжение смещения 0,1/5,0/3,0 мВ |
| Компараторы (прецизионный/Быстродействующий/общего применения) | 12/12/40 | – Разрешающая способность 0,1/3,0/1,0 мВ – Время срабатывания 0,3/0,05/0,2 мкс – Напряжение смещения 0,5/5,0/8,0 мВ |
| Мультиплексор аналоговых сигналов 16 в 1 | 2 | – Сопротивление открытого ключа канала 30 Ом – Сопротивление закрытого ключа канала не менее 100 МОм |
| Встроенный источник опорного напряжения | 1 | – Выходное напряжение 1,0 В – Температурный коэффициент изменения выходного напряжения ±100 ppm/°С |
| Драйвер внешнего силового ключа | 2 | – Входное напряжение 5,0 В – Выходное напряжение 10 В – Нагрузочная способность 300 мА |
Также кристалл содержит наборы аналоговых транзисторов, резисторов, конденсаторов. Типовой срок реализации проекта на БМК от 9 до 12 месяцев.