5400ТР015

Документация

5400ТР015

Аналого-цифровые базовые матричные кристаллы 5400ТР015 являются основой для проектирования и изготовления полузаказных аналоговых и аналого-цифровых СБИС средней сложности. Предназначены для применения в устройствах автоматики и аналоговой/аналого-цифровой обработки (разрядность 10-16 бит, частота дискретизации до 5 МВыб/c).

Номер ТУ

АЕНВ.431260.056ТУ

Тип корпуса
Статус разработки

Серийно освоена

Температурный диапазон

от –60°С до +125°С

Надежность

Наработка на отказ 200 000 часов

Характеристики

  • Наличие встроенных «жестких» СФ-блоков: ИОН, АЦП (12 и 14 бит), ЦАП, различные типы ОУ и компараторов;
  • Наличие матриц согласованных аналоговых компонентов для построения произвольных схем;
  • Емкость цифровой части ~100 тысяч вентилей позволяет реализовывать цифровые схемы средней сложности;
  • Номинальное напряжение питания – 3,3 В.
Наименование блока Количество Параметры
Цифровые ячейки 100 000 – Реализация цифровых проектов с рабочей частотой до 50 МГц
Конвейерный АЦП 1 – Разрядность 14 бит
– Частота дискретизации 5,0 МВыб/с
– Дифференциальная нелинейность ±0,75 МЗР
– Интегральная нелинейность ±3,0 МЗР
АЦП последовательного приближения 2 – Разрядность 12 бит
– Частота дискретизации 1,2 МВыб/с
– Дифференциальная нелинейность ±0,8 МЗР
– Интегральная нелинейность ±5,0 МЗР
R-2R ЦАП 2 – Разрядность 12 бит
– Время преобразования 1,0 мкс
– Дифференциальная нелинейность ±0,9 МЗР
– Интегральная нелинейность ±3,0 МЗР
Прецизионный усилительный блок 12 – Коэффициент усиления 120 дБ
– Частота единичного усиления 1,0 МГц
– Напряжение смещения 0,1 мВ
– Спектральная плотность шума 50 нВ/Гц0,5
Быстродействующий усилительный блок 16 – Коэффициент усиления 80 дБ
– Частота единичного усиления 150 МГц
– Напряжение смещения 5,0 мВ
Усилительный блок общего применения 16 – Коэффициент усиления 90 дБ
– Частота единичного усиления 15 МГц
– Напряжение смещения 3,0 мВ
Мультиплексор аналоговых сигналов 16 в 1 2 – Сопротивление открытого ключа канала 30 Ом
– Сопротивление закрытого ключа канала не менее 100 МОм
Встроенный источник опорного напряжения 1 – Выходное напряжение 1,0 В
– Температурный коэффициент изменения выходного напряжения ±100 ppm/°С

Также кристалл содержит наборы аналоговых транзисторов, резисторов, конденсаторов. Типовой срок реализации проекта на БМК от 9 до 12 месяцев.