5400ТР045
5400ТР045
Аналого-цифровые базовые матричные кристаллы 5400ТР045 являются основой для проектирования и изготовления полузаказных микросхем в компактных безвыводных корпусах и предназначены для замены отдельных дискретных компонентов импортного производства (ОУ, компараторы, АЦП, ЦАП), а также для построения аналого-цифровых схем малой и средней сложности. Могут применяться в устройствах автоматики и аналоговой/аналого-цифровой обработки (разрядность 10-14 бит, частота дискретизации до 1 МВыб/c).
Номер ТУ
АЕНВ.431260.237ТУ
Тип корпуса
Статус разработки
Серийно освоена
Температурный диапазон
от –60°С до +125°С
Надежность
Наработка на отказ 140 000 часов
Характеристики
- Архитектура аналоговой части в виде идентичных матриц согласованных аналоговых компонентов для построения произвольных схем без «жестких» СФ-блоков обеспечивает «хорошую» мультиплицируемость библиотечных элементов;
- Наличие библиотеки аналоговых СФ-блоков;
- Емкость цифровой части ~30 тысяч вентилей (1,8 В) и ~50 тысяч вентилей (5,0 В) позволяет реализовывать цифровые схемы малой и средней сложности;
- Наличие конфигурационного ПЗУ (370 бит) для реализации внутренних программируемых настроек блоков при реализации схем на БМК (в т.ч. упрощает процесс настройки кристаллов на пластине);
- Номинальное напряжение питания – 5,0 В.
Наименование блока | Количество | Параметры |
---|---|---|
Цифровые ячейки | 82 630 | – Реализация цифровых проектов с рабочей частотой до 25 МГц |
Память | 370 бит | – Однократно программируемая память (antifuse) |
АЦП последовательного приближения | 2 | – Разрядность 12 бит – Частота дискретизации 1,0 МВыб/с – Дифференциальная нелинейность ±0,9 МЗР – Интегральная нелинейность ±5,0 МЗР |
R-2R ЦАП | 2 | – Разрядность 12 бит – Время преобразования 0,2 мкс – Дифференциальная нелинейность ±0,9 МЗР – Интегральная нелинейность ±3,0 МЗР |
Операционные усилители (прецизионный/ПДОУ/общего применения) | 18/18/18 | – Коэффициент усиления 120/110/90 дБ – Частота единичного усиления 2,0/2,0/25 МГц – Напряжение смещения 0,1/2,5/8,0 мВ |
Компараторы (общего применения/стробируемый) | 18/18 | – Разрешающая способность 1,0/1,0 мВ – Время срабатывания 0,2/0,1 мкс – Напряжение смещения 8,0/10 мВ |
Встроенный источник опорного напряжения | 1 | – Выходное напряжение 1,0 В – Температурный коэффициент изменения выходного напряжения ±100 ppm/°С |
Также кристалл содержит наборы аналоговых транзисторов, резисторов, конденсаторов. Типовой срок реализации проекта на БМК от 9 до 12 месяцев.