5400ТР105
5400ТР105
Аналого-цифровой базовый матричный кристалл 5400ТР105 является основой для проектирования полузаказных схем и предназначен для выполнения цифровой обработки сигналов и реализации сложных цифровых вычислительных устройств с возможностью использования встроенного микроконтроллерного ядра, блоков ОЗУ и ПЗУ.
Отличительной особенностью микросхем является низкий ток потребления элементной базы и наличие необходимого числа аналоговых блоков для реализации аналого-цифрового и цифро-аналогового интерфейса.
Номер ТУ
АЕНВ.431260.544ТУ
Тип корпуса
Статус разработки
Серийно освоена
Температурный диапазон
от –60°С до +125°С
Надежность
Наработка на отказ 140 000 часов
Характеристики
- Преобладание в архитектуре БМК цифровой части и элементов памяти по отношению к аналоговым компонентам;
- Емкость цифровой части ~300 тысяч вентилей (1,8В) и ~300 тысяч вентилей (5,0В) для реализации цифровых частей средней и повышенной сложности;
- Наличие ПЗУ емкостью 4 кбайт;
- Наличие отладочного ОЗУ емкостью 4 кбайт;
- Наличие ОЗУ емкостью 256 байт;
- Наличие конфигурационного ПЗУ (430 бит) для реализации внутренних программируемых настроек блоков при реализации схем на БМК (в т.ч. упрощает процесс настройки кристаллов на пластине);
- Архитектура аналоговой части в виде идентичных матриц согласованных аналоговых компонентов для построения произвольных схем позволяет реализовывать основные аналоговые устройства – АЦП, ЦАП, ИОН, ОУ и т.д;
- Наличие библиотеки микропотребляющих аналоговых СФ-блоков;
- Номинальное напряжение питания – 5,0В.
Наименование блока | Количество | Параметры |
---|---|---|
Цифровые ячейки | 1 170 000 | – Встроенное микроконтроллерное ядро архитектуры 8051 – СФ-блоки SPI, UART, I2C, JTAG, 1-Wire интерфейса |
Память | 4кБайт 4кБайт |
– Энергонезависимая память (antifuse) – Энергозависимая память (ОЗУ) |
АЦП последовательного приближения | 2 | – Разрядность 12 бит – Частота дискретизации 1,0 МВыб/с – Дифференциальная нелинейность ±0,8 МЗР – Интегральная нелинейность ±5,0 МЗР |
R-2R ЦАП | 2 | – Разрядность 12 бит – Время преобразования 1,0 мкс – Дифференциальная нелинейность ±0,8 МЗР – Интегральная нелинейность ±3,0 МЗР |
Операционный усилитель общего применения | 6 | – Коэффициент усиления 70 дБ – Напряжение смещения 10 мВ – Ток потребления 200 мкА |
Прецизионный компаратор | 6 | – Время срабатывания 0,9 мкс – Напряжение смещения 5,0 мВ – Ток потребления 200 мкА |
Линейный регулятор напряжения | 2 | – Диапазон входного напряжения 6,0...15 В – Выходное напряжение 5,0 В/1,8 В – Нагрузочная способность 60 мА |
Встроенный источник опорного напряжения | 1 | – Выходное напряжение 1,0 В – Температурный коэффициент изменения выходного напряжения ±100 ppm/°С |
Также кристалл содержит наборы аналоговых транзисторов, резисторов, конденсаторов. Типовой срок реализации проекта на БМК от 9 до 12 месяцев.