5400ТР105

5400ТР105

Аналого-цифровые базовые матричные кристаллы 5400ТР105 являются основой для проектирования полузаказных схем и предназначена для выполнения цифровой обработки сигналов и реализации сложных цифровых вычислительных устройств с возможностью использования встроенного микроконтроллерного ядра, блоков ОЗУ и ПЗУ.

Отличительной особенностью микросхем является низкий ток потребления элементной базы и наличие необходимого числа аналоговых блоков для реализации аналого-цифрового и цифро-аналогового интерфейса.

Номер ТУ

АЕНВ.431260.544ТУ

Тип корпуса

5142.48-А  (Скачать STEP-модель)

Состояние разработки

Серийно освоена

Температурный диапазон

от –60°С до +125°С

Стойкость к СВВФ

2Ус | 1К | ТЗЧ

Надежность

Наработка на отказ 140 000 часов

Характеристики

Наименование блока Количество Параметры
Цифровые ячейки 1 170 000 – Встроенное микроконтроллерное ядро архитектуры 8051
– СФ-блоки SPI, UART, I2C, JTAG, 1-Wire интерфейса
Память 4кБайт
4кБайт
– Энергонезависимая память (antifuse)
– Энергозависимая память (ОЗУ)
АЦП последовательного приближения 2 – Разрядность 12 бит
– Частота дискретизации 1,0 МВыб/с
– Дифференциальная нелинейность ±0,8 МЗР
– Интегральная нелинейность ±5,0 МЗР
R-2R ЦАП 2 – Разрядность 12 бит
– Время преобразования 1,0 мкс
– Дифференциальная нелинейность ±0,8 МЗР
– Интегральная нелинейность ±3,0 МЗР
Операционный усилитель общего применения 6 – Коэффициент усиления 70 дБ
– Напряжение смещения 10 мВ
– Ток потребления 200 мкА
Прецизионный компаратор 6 – Время срабатывания 0,9 мкс
– Напряжение смещения 5,0 мВ
– Ток потребления 200 мкА
Линейный регулятор напряжения 2 – Диапазон входного напряжения 6,0...15 В
– Выходное напряжение 5,0 В/1,8 В
– Нагрузочная способность 60 мА
Встроенный источник опорного напряжения 1 – Выходное напряжение 1,0 В
– Температурный коэффициент изменения выходного напряжения ±100 ppm/°С

Также кристалл содержит наборы аналоговых транзисторов, резисторов, конденсаторов. Типовой срок реализации проекта на БМК от 9 до 12 месяцев.