5400ТР105

Документация

5400ТР105

Аналого-цифровой базовый матричный кристалл 5400ТР105 является основой для проектирования полузаказных схем и предназначен для выполнения цифровой обработки сигналов и реализации сложных цифровых вычислительных устройств с возможностью использования встроенного микроконтроллерного ядра, блоков ОЗУ и ПЗУ.

Отличительной особенностью микросхем является низкий ток потребления элементной базы и наличие необходимого числа аналоговых блоков для реализации аналого-цифрового и цифро-аналогового интерфейса.

Номер ТУ

АЕНВ.431260.544ТУ

Тип корпуса
Статус разработки

Серийно освоена

Температурный диапазон

от –60°С до +125°С

Надежность

Наработка на отказ 140 000 часов

Характеристики

  • Преобладание в архитектуре БМК цифровой части и элементов памяти по отношению к аналоговым компонентам;
  • Емкость цифровой части ~300 тысяч вентилей (1,8В) и ~300 тысяч вентилей (5,0В) для реализации цифровых частей средней и повышенной сложности;
  • Наличие ПЗУ емкостью 4 кбайт;
  • Наличие отладочного ОЗУ емкостью 4 кбайт;
  • Наличие ОЗУ емкостью 256 байт;
  • Наличие конфигурационного ПЗУ (430 бит) для реализации внутренних программируемых настроек блоков при реализации схем на БМК (в т.ч. упрощает процесс настройки кристаллов на пластине);
  • Архитектура аналоговой части в виде идентичных матриц согласованных аналоговых компонентов для построения произвольных схем позволяет реализовывать основные аналоговые устройства – АЦП, ЦАП, ИОН, ОУ и т.д;
  • Наличие библиотеки микропотребляющих аналоговых СФ-блоков;
  • Номинальное напряжение питания – 5,0В.
Наименование блока Количество Параметры
Цифровые ячейки 1 170 000 – Встроенное микроконтроллерное ядро архитектуры 8051
– СФ-блоки SPI, UART, I2C, JTAG, 1-Wire интерфейса
Память 4кБайт
4кБайт		 – Энергонезависимая память (antifuse)
– Энергозависимая память (ОЗУ)
АЦП последовательного приближения 2 – Разрядность 12 бит
– Частота дискретизации 1,0 МВыб/с
– Дифференциальная нелинейность ±0,8 МЗР
– Интегральная нелинейность ±5,0 МЗР
R-2R ЦАП 2 – Разрядность 12 бит
– Время преобразования 1,0 мкс
– Дифференциальная нелинейность ±0,8 МЗР
– Интегральная нелинейность ±3,0 МЗР
Операционный усилитель общего применения 6 – Коэффициент усиления 70 дБ
– Напряжение смещения 10 мВ
– Ток потребления 200 мкА
Прецизионный компаратор 6 – Время срабатывания 0,9 мкс
– Напряжение смещения 5,0 мВ
– Ток потребления 200 мкА
Линейный регулятор напряжения 2 – Диапазон входного напряжения 6,0...15 В
– Выходное напряжение 5,0 В/1,8 В
– Нагрузочная способность 60 мА
Встроенный источник опорного напряжения 1 – Выходное напряжение 1,0 В
– Температурный коэффициент изменения выходного напряжения ±100 ppm/°С

Также кристалл содержит наборы аналоговых транзисторов, резисторов, конденсаторов. Типовой срок реализации проекта на БМК от 9 до 12 месяцев.